文獻摘要:
研究了強脈衝光(IPL)焊接作為傳統回流焊接的替代焊接工藝。IPL焊接因其低功耗而適合實現碳中和社會。此外,它在電子器件製造中具有多種優勢,包括熱損傷低、加工時間短、適用於大麵積工藝。在此,化學鍍鎳/化學鍍鈀/浸金表麵處理和使用Sn–3.0Ag–0.5Cu焊料。焊接過程中考慮三個IPL參數:脈衝寬度、脈(mai)衝(chong)數(shu)量(liang)和(he)頻(pin)率(lv)。使(shi)用(yong)配(pei)備(bei)電(dian)子(zi)探(tan)針(zhen)顯(xian)微(wei)分(fen)析(xi)儀(yi)的(de)場(chang)發(fa)射(she)掃(sao)描(miao)電(dian)子(zi)顯(xian)微(wei)鏡(jing)觀(guan)察(cha)界(jie)麵(mian)和(he)焊(han)料(liao)基(ji)體(ti)的(de)微(wei)觀(guan)結(jie)構(gou)。此(ci)外(wai),還(hai)進(jin)行(xing)了(le)板(ban)級(ji)跌(die)落(luo)衝(chong)擊(ji)測(ce)試(shi),以(yi)研(yan)究(jiu)接(jie)頭(tou)的(de)機(ji)械(xie)可(ke)靠(kao)性(xing)。結(jie)果(guo)表(biao)明(ming),金(jin)屬(shu)間(jian)化(hua)合(he)物(wu)(IMC)的成分和形貌隨IPL參數的變化而變化,從而顯著影響可靠性。具體而言,與回流焊相比,在最佳IPL條件下,跌落失效次數增加了6.7倍。這是因為裂紋通過焊料基體和不連續的IMC傳播。根據所獲得的結果,基於IPL的焊接是回流焊接的一種有前途的替代方案。
文獻介紹:
微電子封裝行業不斷發展,包括細間距技術、高I/O密度和封裝尺寸的小型化。因此,電子器件在外部負載條件下發生故障的可能性,例如隨著機械、熱機械、電氣和熱影響的增加。因此,需要解決電子封裝可靠性問題的技術。
huiliuhanshiyizhongchuantongdehanjiefangfa,liyongrekongqiduiliushiyonghongwaijiareqizuoweireyuan。youyuqizaizuzhuangbiaomiantiezhuangqijianfangmiandeyouxiaoxing,tashiweidianzigongyezhongcaiyongzuiguangfandefangfa。raner,jiyuduiliujiaredehanjiefangfaxuyaoxiangduijiaochangdegongyishijian,yinweijietouwenduxuyaoxiangduijiaochangdeshijiancainengbaohedaofengzhishuiping。yinci,kongzhijiemianfanyingshijuyoutiaozhanxingde,xuyaohuiliuhandetidaijishulaitigaozhanhekekaoxing。強脈衝光(IPL)是由氙氣閃光燈係統產生的具有寬波長範圍的脈衝電磁波。靶材料吸收的IPL能量通過光熱轉換效應轉化為熱能。IPL能量在製造電子器件方麵具有熱損傷小、加工時間短、適用於大麵積工藝、生態友好等優點。由於這些優點,IPL焊接比激光焊接更受青睞,激光焊接是另一種候選技術。此前,大多數研究主要集中在印刷電子產品上,而隻有少數關於IPL焊接和所得焊點可靠性的研究被報道。在此,我們研究了IPL焊接作為回流焊接的替代技術。 我們使用Sn-3.0Ag-0.5Cu無鉛焊料(SAC305)和通過IPL焊接進行化學鍍鎳/化學鍍鈀/浸金(ENEPIG)表麵處理的PCB形成焊點。與有機可焊性防腐劑和化學鍍鎳/浸金(ENIG)表麵處理相比,ENEPIG表麵處理有幾個優點。首先,Au和Pd層可防止電極氧化並增強潤濕性。其次,由於插入的Pd層可以減少Au層的厚度,因此降低了生產成本。第三,Pd層可保護Ni原子在浸鍍Au過程中不被Au原子取代,從而導致電偶過度腐蝕(黑墊)。然而,在ENEPIG表麵上進行回流焊接後,會形成脆性界麵層,類似於在ENIG表麵上焊接的情況。不僅可以有IMCs(Cu6Sn5、Ni3Sn4等),還可以有Ni-(Sn)-P層(Ni3P、Ni2P、Ni2SnP等)。在這項研究中,我們使用IPL焊接成功控製了SAC305焊料和ENEPIG表麵光潔度之間的界麵反應。此外,我們研究了界麵反應層的形成和粘合可靠性。
文獻中光子燒結部分:
圖1顯示了IPL焊接接頭的示意圖。焊接過程結束後形成了界麵反應層。界麵反應層的詳細示意圖將在後麵展示。
焊接接頭的橫截麵顯微圖如圖2所示。每種IPL條件的溫度分布圖也顯示在圖S1,支持信息中。焊點的整體形狀如圖2a-e 所示,f-j顯示了每個焊點底部的界麵微觀結構。IMC的形貌隨IPL條件,特別是輸入能量的不同而變化。在低IPL能量(299.1J/cm2)下,獲得了連續的薄層IMC結構(圖2f,i)。然而,在高IPL能量(359.1J/cm2)的界麵結構中,不連續的多邊形型IMC占主導地位(圖2g,h)。回流焊形成的接頭的界麵結構與IPL接頭的界麵結構不同(圖2j)。IMC是連續的,並顯示出兩種類型的形態:多邊形和針狀類型。此外,Ni(P)層和IMC之間還形成了另一個薄層,這在其他條件下很少觀察到。該層是ENIG(或ENEPIG)焊點的典型結構,推斷為Ni-(Sn)-P層。Ni-(Sn)-P化合物有多種(例如Ni2P、Ni3P、Ni12P5和Ni2SnP);在本文中,為簡單起見,我們將它們全部稱為Ni-(Sn)-P。
圖5顯xian示shi了le通tong過guo模mo切qie試shi驗yan獲huo得de的de每mei個ge焊han點dian的de剪jian切qie強qiang度du。焊han料liao基ji體ti的de微wei觀guan結jie構gou比bi界jie麵mian反fan應ying層ceng的de微wei觀guan結jie構gou更geng重zhong要yao,因yin為wei由you於yu低di應ying變bian率lv衝chong擊ji而er導dao致zhi的de斷duan裂lie發fa生sheng在zai基ji體ti內nei部bu。此ci外wai,低di能nengIPL條件下形成的接頭表現出較低的強度。這是因為很少形成誘發析出硬化的細小AgSn3析出物。當塑性變形發生時,硬析出物作為位錯的釘住位點(Orowan機製)。然而,在本文中,由於沉澱不足,分散的AgSn的體積分數受到限製,導致接頭的強度相對較低。在高能IPL和回流條件下,細小的AgSn析出物在焊點中分布良好。Orowan應力,即位錯跨越非共格硬析出相所需的應力,與顆粒間距成反比。隨著細AgSn析出相在接頭中形成的增多,間距減小,Orowan應力增大。因此,位錯運動受到抑製,提高了接頭的強度。
文獻結論:
在這項研究中,我們研究了IPL焊接點的界麵反應及其跌落衝擊可靠性。使用IPL能量成功形成堅固的焊點。根據FESEM和EPMA分析,反應產物的種類和形貌隨輸入能量的變化而變化。采用低能IPL,由於Au和Pd(P)層不完全溶解,在界麵處形成了薄層(Pd,Au)Sn4IMC。純銀保留在焊料基體中,表明Ag3Sn沉澱不足。隨著輸入能量的增加,(Pd,Au)Sn4IMCs溶解在熔融焊料中後觀察到不連續的(Cu,Ni,Pd,Au)6Sn5IMCs。還觀察到典型的β-Sn和Ag3Sn網絡結構。為了研究輸入能量對界麵微觀結構和相應可靠性的影響,我們增加了焊接脈衝數。在界麵處形成包含(Cu,Ni,Pd,Au)6Sn5和(Ni,Cu,Pd,Au)3Sn4的連續IMC。正如板級跌落衝擊測試所示,由於焊點脆性,它們降低了焊點的可靠性。在用最小IPL能量(n=30)形成的接頭中,裂紋沿著脆性(Pd,Au)Sn4IMC傳播。形成不連續的IMC後,裂紋通過焊料基質和IMC傳播。隨著脈衝數量(或輸入能量)的增加,裂紋通過連續的脆性IMC傳播,從而減少了跌落失敗的次數。總之,通過IPL焊接成功地控製了焊點的微觀結構和機械可靠性。因此,IPL焊接是回流焊的一種有前途的替代方案
原文鏈接:https://doi.org/10.1002/adem.202201635
本網站所發表內容轉載時會注明來源,版權歸原出處所有(無法查證版權的或未注明出處的均來源於網絡搜集)。轉載內容(視頻、文章、廣告等)隻以信息傳播為目的,僅供參考,不代表本網站認同其觀點和立場。內容的真實性、準確性和合法性由原作者負責。如涉及侵權,請聯係刪除,此轉載不作為商業用途
Copyright © 2022 寧波柔印電子科技有限責任公司 All Rights Reserved.浙ICP備18004554號-1 XML地圖
技術支持:海巨天
掃一掃關注公眾號
掃一掃谘詢微信客服