全國谘詢熱線
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背景：熱退火是用於結晶硒化銻(Sb2Se3)薄膜的最常見後沉積技術。然而，由於處理速度慢且能源成本高，它與未來光伏電池中Sb2Se3的升級和商業化不相容。在此，首次采用一種使用毫秒···
閱讀量：8872024
背景：本研究開發了一種用於高性能全印刷無機薄膜晶體管(TFT)的印刷多層銦镓鋅氧化物(IGZO)和銀(Ag)電極結構的強脈衝光(IPL)退火工藝。通過使用IGZO前體和銀墨水的溶液···
閱讀量：7792024
背景：我們介紹了光子燒結作為一種通用且經濟高效的界麵處理方法，用於溶液處理的In-Ga-Zn-O薄膜晶體管，重點研究其提高操作穩定性的潛力。我們製造了溶液處理的基於IGZO的薄膜晶···
閱讀量：6772024
背景：新(xin)興(xing)的(de)柔(rou)性(xing)光(guang)電(dian)器(qi)件(jian)需(xu)要(yao)多(duo)材(cai)料(liao)處(chu)理(li)能(neng)力(li)，以(yi)充(chong)分(fen)利(li)用(yong)對(dui)溫(wen)度(du)敏(min)感(gan)的(de)基(ji)板(ban)和(he)材(cai)料(liao)。本(ben)報(bao)告(gao)展(zhan)示(shi)了(le)光(guang)子(zi)燒(shao)結(jie)如(ru)何(he)實(shi)現(xian)具(ju)有(you)非(fei)常(chang)不(bu)同(tong)特(te)性(xing)的(de)材(cai)料(liao)的(de)加(jia)工(gong)。例(li)如(ru)，電(dian)荷(he)載(zai)流(liu)子(zi)傳(chuan)輸(shu)/阻擋金屬氧化物和透明導···
閱讀量：6182024
背景：In2O3是最重要的半導體金屬氧化物之一，主要是因為它具有寬帶隙、高電子遷移率和加工通用性。為此，可以使用可擴展且廉價的基於溶液的沉積方法來製備高質量的In2O3薄膜，從而使···
閱讀量：11692023
背景：金屬氧化物薄膜晶體管(TFT)為(wei)新(xin)興(xing)的(de)透(tou)明(ming)和(he)柔(rou)性(xing)微(wei)電(dian)子(zi)應(ying)用(yong)提(ti)供(gong)了(le)絕(jue)佳(jia)的(de)機(ji)會(hui)。不(bu)幸(xing)的(de)是(shi)，它(ta)們(men)的(de)性(xing)能(neng)受(shou)到(dao)與(yu)寄(ji)生(sheng)效(xiao)應(ying)相(xiang)關(guan)的(de)限(xian)製(zhi)的(de)阻(zu)礙(ai)，例(li)如(ru)寄(ji)生(sheng)電(dian)極(ji)重(zhong)疊(die)電(dian)容(rong)和(he)高(gao)接(jie)觸(chu)電(dian)阻(zu)，這(zhe)會(hui)嚴(yan)重(zhong)限(xian)製(zhi)···
閱讀量：7432024
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